MB85RC256V Memoria 32KB I2C No Volátil FRAM Placa Breakout

Características: La FRAM es no volátil y puede ser leída/escrita fácilmente 10 billones de veces. Es similar a la memoria de acceso aleatorio dinámica (DRAM), solo con una capa ferroeléctrica en lugar de una capa dieléctrica. Es particularmente adecuado para usar con registradores de datos de baja potencia y para almacenar datos en búfer en ausencia de una fuente de voltaje estable. El chip FRAM utilizado proporciona 8 KB de memoria y utiliza un reloj de hasta 20 MHz. Cada byte puede ser leído y escrito instantáneamente, pero conservará la memoria durante 95 años a temperatura ambiente. Especificación: Condición: 100% nuevo Addr: 1010+A2+A1+A0 Por defecto: 0x50 VCCLogic: 2.75.5V Lista de paquetes: 1 x Placa Breakout FRAM La FRAM es no volátil y puede ser leída/escrita fácilmente 10 billones de veces. Es similar a la memoria de acceso aleatorio dinámica (DRAM), solo con una capa ferroeléctrica en lugar de una capa dieléctrica. Es particularmente adecuado para usar con registradores de datos de baja potencia y para almacenar datos en búfer en ausencia de una fuente de voltaje estable. El chip FRAM utilizado proporciona 8 KB de memoria y utiliza un reloj de hasta 20 MHz. Cada byte puede ser leído y escrito instantáneamente, pero conservará la memoria durante 95 años a temperatura ambiente.